Каталог :: МОП-транзисторы :: Высокочастотные транзисторы большой мощности (LDMOS)

Страницы: 1234567
1

BLF1043 - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

2

BLF1046 - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

3

BLF6G10(LS)-200RN - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

4

BLF6G10-200RN - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

5

BLF6G10LS-200RN - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

6

BLF6G10-45 - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

7

BLF6G10L(S)-260PRN - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

8

BLF6G10L-260PRN - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

9

BLF6G10LS-260PRN - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

10

BLF6G10L-40BRN - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

11

BLF6G10LS-135RN - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

12

BLF6G10LS-160RN - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

13

BLF6G10S-45 - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

14

BLF6G21-10G - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

15

BLF6H10L(S)-160 - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

16

BLF6H10L-160 - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

17

BLF6H10LS-160 - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

18

BLF7G10L(S)-250 - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

19

BLF7G10L-250 - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

20

BLF7G10LS-250 - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

21

BLF8G10L-160 - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

22

BLF8G10LS-160 - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

23

BLF8G10LS-160V - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

24

BLF8G10LS-270 - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

25

BLF8G10LS-270GV - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

26

BLF8G10LS-270V - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

27

BLM6G10-30 - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

28

BLM6G10-30G - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

29

BLP7G07S-140P - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

30

BLP7G22-05 - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

31

BLP7G22-10 - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

32

BLP8G10S-45P - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

33

BLP8G10S-45PG - транзисторы высокочастотные 0,8 - 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

34

BLF6G15L(S)-40RN - транзисторы высокочастотные 1,3 - 1,7 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

35

BLF6G15L-40RN - транзисторы высокочастотные 1,3 - 1,7 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

36

BLF6G15LS-40RN - транзисторы высокочастотные 1,3 - 1,7 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

37

BLF6G15L-250PBRN - транзисторы высокочастотные 1,3 - 1,7 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

38

BLF6G15L-40BRN - транзисторы высокочастотные 1,3 - 1,7 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

39

BLF6G15LS-250PBRN - транзисторы высокочастотные 1,3 - 1,7 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

40

BLF7G15LS-200 - транзисторы высокочастотные 1,3 - 1,7 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

41

BLF7G15LS-300P - транзисторы высокочастотные 1,3 - 1,7 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

42

BLF6G20(LS)-110 - транзисторы высокочастотные 1,8 - 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

43

BLF6G20-110 - транзисторы высокочастотные 1,8 - 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

44

BLF6G20LS-110 - транзисторы высокочастотные 1,8 - 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

45

BLF6G20(LS)-75 - транзисторы высокочастотные 1,8 - 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

46

BLF6G20-75 - транзисторы высокочастотные 1,8 - 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

47

BLF6G20LS-75 - транзисторы высокочастотные 1,8 - 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

48

BLF6G20(S)-45 - транзисторы высокочастотные 1,8 - 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

49

BLF6G20-45 - транзисторы высокочастотные 1,8 - 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

50

BLF6G20S-45 - транзисторы высокочастотные 1,8 - 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции, Power LDMOS transistor /NXP Semiconductors/

Страницы: 1234567